整流二极管紧贴电路板安装不妥

图1所示整流电路.使用中整流桥出现破裂.滤波电容冒烟。进一步检查发现整流桥发热较严重，由于其引脚被剪短后紧阽印板安装.其周边印板已呈现焦黄色。

??1原因

??图1电路中，交流正半周时D1、D3导通;负半月时D2、D4导通;整六电流同时经过两只二极管。白于普通整流二极管的正向压奖约为1V，因而整流桥上的压降约约为2V。

??如果整流桥输出电流为1.5A，则整流桥的损耗约为3W，可见整流桥自身的散热应加以考虑。如果整流桥紧贴印板，与周边元件(如滤波电容等)距离又太近.其热量不能有效散发，则可能过热损坏。

??2对策

??对发热元件的引脚不要剪得过短，应使其底部与印板间悬空;同时加大与周边元件的间隔.如图2。图3是整流桥堆(s2vB20)的引线长度与通过电流的关系曲线.可见引线越短.允许通过的电流越小。

??另外。采用正向压降小的肖特基势垒极管(SBD)整流，其压降仅0.5V.可以减小损耗和发热。

? ?MDD二极管有导通和截止两种工作状态。而且导通和截止有一定的工作条件。如果给二极管的正极加上高于负极的电压，称为二极管的正向偏置电压，当该电压达到一定数值时二极管导通，导通后二极管相当于一个导体，电阻很小，相当于接通，如图所示。

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? ? 当MDD二极管两端外加电压发生变化时，一方面PN结宽窄变化，势垒区内的施主阴离子和受主阳离子数量会改变；另一方面扩散的多子和漂移的少子数量也会因电压变化而改变。这种情况与电容的作用类似，分别用势垒电容和扩散电容来表示。当二极管两端外加正向电压时，它削弱PN结的内电场，扩散运动加强，漂移运动减弱，扩散和漂移的动态平衡被破坏，扩散运动大于漂移运动，结果导致P区的多子空穴流向N区，N区的多子电子流向P区，进入P区的电子和进入N区的空穴分别成为该区的少子，因此，在P区和N区的少子比无外加电压时多，这些多出来的少子称为非平衡少子。
在正向电压作用下，P区空穴越过PN结，在N区的边界上进行积累，N区电子越过PN结，在P区的边界上进行积累，这些非平衡少子依靠积累时浓度差在N区进行扩散，形成一定的浓度梯度发布，靠近边界浓度高，远离边界浓度低。空穴在向N区扩散过程中，部分与N区中的多子电子相遇而复合，距离PN结边界越远，复合掉的空穴就越多。反之亦然，电子在向P区扩散过程中，部分电子与P区中的多子空穴相遇而复合，距离PN结边界越远，复合掉的电子就越多。MDD二极管正向导通时，非平衡少数载流子就会在边界附近积累，产生电荷存储效应。

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? ? MDD二极管导通后，在回路中的电流流向是从正极流向负极，不能从负极流向正极，否则二极管已经损坏。
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? ? MDD二极管导通的条件：正向偏置电压,正向偏置电压大到一定程度，对于硅管而言0.7V，对于锗管而言为0.2V。对于一个硅二极管正向电压大于0.5V的时候，就会有正向电流。通常情况下，硅MDD二极管正向电压不会超过0.7V。那如果在这个二极管两端加上10V的电压，那么此时经过电源内阻限流后，电流超过了此MDD二极管所能承受的最大电流，MDD二极管就被烧毁了！不超过MDD二极管的允许最大电流，那么肯定是电源有内阻承担了另外过多的电压。此时MDD二极管的电压肯定是0.7V。它的作用和稳压管类似，只要符合了稳压管的条件它就稳压，超过了或者不稳压，或者被烧毁。

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? ? 如果是一个能力特别强的电源，比如是理想电源，那么MDD二极管肯定是被击穿的。也就是，在二极管没有被击穿的情况下，这个硅二极管两端的电压一般就是0.5V-0.7V左右了。